講演情報
[17p-K103-8]ミニマル水プラズマアッシングプロセスを用いて作製したデバイス特性のウェハ面内均一性
〇三浦 典子1、本郷 仁啓1、相澤 洸2、野川 満徳2、大西 康弘2、石島 達夫3、池田 伸一1、原 史朗1,4 (1.産総研、2.米倉製作所、3.金沢大学、4.Hundred Semiconductors)
キーワード：
ミニマルファブ、レジスト除去プロセス、プラズマプロセス
ミニマルファブにおける新規のレジスト除去プロセスとして、低環境負荷でダメージの低減が期待できる「水プラズマアッシング(WPA)技術」を開発している。本研究では、WPAプロセスをAl電極加工後のレジスト除去処理に適用し、pMOSトランジスタ特性のウェハ面内分布を評価したので、その結果について報告する。