[17p-K202-1~7] 13.3 Insulator technology

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[17p-K202-4] Low temperature annealing effect on Ge gate stack

〇Hajime Kuwazuru¹, Taisei Aso¹, Dong Wang², Keisuke Yamamoto^2,3 (1.IGSES, Kyushu Univ., 2.FES, Kyushu Univ., 3.REISI Kumamoto Univ.)

Keywords:

Germanium,Gate stack,Low-temperature process

当グループはこれまでに、SiO₂/GeO₂ゲートスタックを有するGe MOSCAPにおいて、熱処理温度の低減に伴いフラットバンド電圧が増加することを見出し、その原因はGeO₂のサブオキサイド化の抑制に伴うSiO₂/GeO₂界面でのダイポール減少によるとのモデル化を行った。今回、同ゲートスタックの低温熱処理効果を詳細に調査するため、熱処理温度、時間を系統的に変化させ、Ge MOSCAPの電気的特性を評価した。