講演情報
[17p-K202-4]Ge上ゲートスタックの低温熱処理効果
〇鍬釣 一1、麻生 大聖1、王 冬2、山本 圭介2,3 (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院、3.熊大大学)
キーワード：
ゲルマニウム、ゲートスタック、低温プロセス
当グループはこれまでに、SiO2/GeO2ゲートスタックを有するGe MOSCAPにおいて、熱処理温度の低減に伴いフラットバンド電圧が増加することを見出し、その原因はGeO2のサブオキサイド化の抑制に伴うSiO2/GeO2界面でのダイポール減少によるとのモデル化を行った。今回、同ゲートスタックの低温熱処理効果を詳細に調査するため、熱処理温度、時間を系統的に変化させ、Ge MOSCAPの電気的特性を評価した。