[17p-K301-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)

[17p-K301-1] Reducing impact ionization noise by double-doped InP-HEMT

〇Taro Sasaki¹, Takuya Tsutsumi², Hiroki Sugiyama¹, Yuki Yoshiya¹, Takuya Hoshi¹, Yasuyuki Miyamoto³, Fumito Nakajima¹ (1.NTT Device Technology Labs., 2.Osaka Metropolitan Univ., 3.Inst. of Science Tokyo)

Keywords:

InP-HEMT,double dope,impact ionization

本講演では、Double-dope構造によるインパクトイオン化の抑制が、ノイズ低減にも効果的であることについて報告する。