[17p-K301-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[17p-K301-12] Nearly Ideal Thermionic Field Emission in AlN SBD with Graded AlGaN Contact Layer

〇Takuya Maeda¹, Yusuke Wakamoto¹, Issei Sasaki¹, Akihira Munakata¹, Masanobu Hiroki², Kazuyuki Hirama², Kazuhide Kumakura², Yoshitaka Taniyasu² (1.UTokyo, EEIS/EEIC, 2.NTT Basic Research Lab. NTT Co.)

Keywords:

Aluminum Nitride (AlN),Schottky Barrier Diode,Thermionic Field Emission

本研究では，Siドープ組成傾斜AlGaNコンタクト層を有するAlNショットキーバリアダイオード(SBD)を作製し，その電気的特性を詳細に調べた．複数の素子でほぼ理想的な電流-電圧特性が確認され，熱電子電界放出(TFE)理論に基づく数値計算を行ったところ，実験値と計算値が非常によく一致した．計算から得られた障壁高さの値は容量-電圧(C-V)測定から求めた値とも一致し，信頼性が高いと言える．これらの結果はAlN系電子デバイスの電流輸送機構の理解において有用であり，AlN系電子デバイスの発展に大きく寄与するものである．