講演情報
[17p-K301-12]組成傾斜 AlGaN コンタクト層を有する AlN SBD における電流輸送機構の解明
〇前田 拓也1、若本 裕介1、佐々木 一晴1、棟方 晟啓1、廣木 正伸2、平間 一行2、熊倉 一英2、谷保 芳孝2 (1.東京大学、2.NTT物性基礎研)
キーワード：
窒化アルミニウム (AlN)、ショットキーバリアダイオード、熱電子電界放出
本研究では，Siドープ組成傾斜AlGaNコンタクト層を有するAlNショットキーバリアダイオード(SBD)を作製し，その電気的特性を詳細に調べた．複数の素子でほぼ理想的な電流-電圧特性が確認され，熱電子電界放出(TFE)理論に基づく数値計算を行ったところ，実験値と計算値が非常によく一致した．計算から得られた障壁高さの値は容量-電圧(C-V)測定から求めた値とも一致し，信頼性が高いと言える．これらの結果はAlN系電子デバイスの電流輸送機構の理解において有用であり，AlN系電子デバイスの発展に大きく寄与するものである．