[17p-K301-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[17p-K301-13] RF characteristics of AlN-based polarization-doped FETs

〇Seiya Kawasaki¹, Masanobu Hiroki¹, Kazuyuki Hirama¹, Kazuhide Kumakura¹, Yoshitaka Taniyasu¹ (1.NTT BRL)

Keywords:

high-Al-content AlGaN,Polarization-doped transistor,Ultra Widegap semiconductor

Al組成を60％から100%へと線形に変化させた組成傾斜AlGaN層をチャネルとした分極ドープFETを作製し，その高周波特性を評価した．オンウェハSパラメータ測定からL_g=0.2­ μmの素子でf_t / f_max=18.9 / 67.8 GHz を得た(V_ds=40 V)．得られたf_maxはAl組成60％以上のAlGaNチャネルFETのなかでは最も高い値であった．