[17p-K301-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:30 〜 16:45

[17p-K301-13] AlN系分極ドープFETの高周波特性

〇川崎 晟也¹、廣木 正伸¹、平間 一行¹、熊倉 一英¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

高Al組成AlGaN、分極ドープトランジスタ、ウルトラワイドギャップ半導体

Al組成を60％から100%へと線形に変化させた組成傾斜AlGaN層をチャネルとした分極ドープFETを作製し，その高周波特性を評価した．オンウェハSパラメータ測定からL_g=0.2­ μmの素子でf_t / f_max=18.9 / 67.8 GHz を得た(V_ds=40 V)．得られたf_maxはAl組成60％以上のAlGaNチャネルFETのなかでは最も高い値であった．