[17p-K301-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[17p-K301-2] Enhancement of Threshold Voltage in EID AlGaN/GaN MOS-HEMT

〇Takuma Nanjo¹, Masayuki Furuhashi¹, Tatsuro Watahiki¹, Takashi Egawa² (1.Mitsubishi Electric Corp., 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:

gallium nitride,HEMT,EID

完全空乏化したAlGaN/GaNヘテロ界面に2DEGを選択的に誘起できる新規技術を適用したエッチングフリーで作製できるプレーナ型EID-HEMTにおいて、3.5Vを超えるしきい値電圧を達成した。素子面積当たりのオン抵抗は5.5 mΩcm²と十分に低い値であり、EID-HEMTにパワースイッチング用の素子として十分なポテンシャルがあることが実証された。