[17p-K301-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:30 〜 13:45

[17p-K301-2] EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるしきい値電圧の向上

〇南條 拓真¹、古橋 壮之¹、綿引 達郎¹、江川 孝志² (1.三菱電機先端総研、2.名工大)

キーワード：

窒化ガリウム、HEMT、EID

完全空乏化したAlGaN/GaNヘテロ界面に2DEGを選択的に誘起できる新規技術を適用したエッチングフリーで作製できるプレーナ型EID-HEMTにおいて、3.5Vを超えるしきい値電圧を達成した。素子面積当たりのオン抵抗は5.5 mΩcm²と十分に低い値であり、EID-HEMTにパワースイッチング用の素子として十分なポテンシャルがあることが実証された。