[17p-K301-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-K301-4] Gate-First AlGaN/GaN HEMTs with n⁺-GaN/n⁺-AlGaN Bilayer Cap Structure

〇Takuya Fujimoto¹, Yuji Ando^1,2, Hidemasa Takahashi¹, Ryutaro Makisako¹, Akio Wakejima³, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMass, Nagoya Univ., 3.Kumamoto Univ.)

Keywords:

AlGaN/GaN HEMT,Gate-First

次世代高周波デバイスとして期待されているGaN HMETにおいて、その作製プロセスはオーミックコンタクト形成時の高温アニールによるゲートショットキー特性の劣化を防ぐため、一般にオーミック先行である。ゲート先行プロセスが実現できれば素子設計自由度を高めることができる。本研究ではリセス構造を用いたゲート先行AlGaN/GaN HEMTを試作し、その電気的特性を評価したので報告する。