講演情報
[17p-K301-4]ゲート先行プロセスで作製したn+-GaN/n+-AlGaN二層キャップ構造AlGaN/GaN HEMTの電気的特性
〇藤本 拓也1、安藤 裕二1,2、高橋 英匡1、牧迫 隆太郎1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大工、2.名大未来研、3.熊本大)
キーワード：
AlGaN/GaN HEMT、ゲート先行
次世代高周波デバイスとして期待されているGaN HMETにおいて、その作製プロセスはオーミックコンタクト形成時の高温アニールによるゲートショットキー特性の劣化を防ぐため、一般にオーミック先行である。ゲート先行プロセスが実現できれば素子設計自由度を高めることができる。本研究ではリセス構造を用いたゲート先行AlGaN/GaN HEMTを試作し、その電気的特性を評価したので報告する。