[17p-K301-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-K301-6] Transport Property of 2DEG in ScAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Prepared by Sputtering Method

〇Kouei Kubota¹, Yusuke Wakamoto¹, Takahiko Kawahara², Shigeki Yoshida², Kozo Makiyama², Ken Nakata², Atsushi Kobayashi³, Takuya Maeda¹ (1.UTokyo, 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd., 3.TUS)

Keywords:

GaN,ScAlN,sputtering

AlGaN/AlN/GaN/SiC上にScAlNをスパッタ法でエピタキシャル成長し、ScAlN成長前後の2DEG輸送特性をHall効果測定により評価した。電子濃度は、ScAlNの成長により3.8×10¹² cm^-2から1.5×10¹³ cm^-2へと大幅に増加した。移動度は、ScAlNの成長により全温度域で低下した。両サンプルの移動度の温度依存性は、同じ散乱パラメータで説明することができた。ScAlN成長前後の移動度の違いは、ScAlNのスパッタ再成長による界面ラフネスの悪化の影響ではなく、電子濃度の差で概ね説明できると考えられる。