[17p-K301-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[17p-K301-6] スパッタ成長ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガスの輸送特性

〇久保田 航瑛¹、若本 裕介¹、河原 孝彦²、吉田 成輝²、牧山 剛三²、中田 健²、小林 篤³、前田 拓也¹ (1.東大、2.住友電工、3.東京理科大)

キーワード：

窒化ガリウム、ScAlN、スパッタ法

AlGaN/AlN/GaN/SiC上にScAlNをスパッタ法でエピタキシャル成長し、ScAlN成長前後の2DEG輸送特性をHall効果測定により評価した。電子濃度は、ScAlNの成長により3.8×10¹² cm^-2から1.5×10¹³ cm^-2へと大幅に増加した。移動度は、ScAlNの成長により全温度域で低下した。両サンプルの移動度の温度依存性は、同じ散乱パラメータで説明することができた。ScAlN成長前後の移動度の違いは、ScAlNのスパッタ再成長による界面ラフネスの悪化の影響ではなく、電子濃度の差で概ね説明できると考えられる。