[17p-K301-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[17p-K301-7] [The 57th Young Scientist Presentation Award Speech] N-polar GaN/InAlN HEMT with high power density

〇Akihiro Hayasaka¹, Shigeki Yoshida¹, Akira Mukai¹, Isao Makabe¹, Yukihiro Tsuji¹, Kozo Makiyama¹, Ken Nakata¹ (1.Sumitomo Electric)

Keywords:

N-polar GaN,InAlN,HEMT

GaN HEMTは無線通信向けの高周波パワーデバイスとして広く使用されており、5.5Gや6Gに向け、特に高周波帯において出力密度の向上が求められている。しかし既に製品化されているGa極性GaN HEMTは、短ゲート構造において電子がバッファ側に回り込みドレインコンダクタンスが増加するため、出力密度の向上が鈍化傾向にある。そこでバックバリアにより電子の回り込みを抑制できるN極性GaN HEMTが注目されている。N極性GaN HEMTはバックバリアにAlGaNを用いる構造が一般的であるが、我々は更なる高出力密度化を目的に高いシートキャリア密度が得られるInAlNを採用した。本研究では28GHz帯において高出力密度を達成したので報告する。