講演情報
[17p-K301-7][第57回講演奨励賞受賞記念講演] 高出力密度を有するN極性GaN/InAlN HEMTの開発
〇早坂 明泰1、吉田 成輝1、向井 章1、眞壁 勇夫1、辻 幸洋1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
キーワード：
N極性GaN、InAlN、HEMT
GaN HEMTは無線通信向けの高周波パワーデバイスとして広く使用されており、5.5Gや6Gに向け、特に高周波帯において出力密度の向上が求められている。しかし既に製品化されているGa極性GaN HEMTは、短ゲート構造において電子がバッファ側に回り込みドレインコンダクタンスが増加するため、出力密度の向上が鈍化傾向にある。そこでバックバリアにより電子の回り込みを抑制できるN極性GaN HEMTが注目されている。N極性GaN HEMTはバックバリアにAlGaNを用いる構造が一般的であるが、我々は更なる高出力密度化を目的に高いシートキャリア密度が得られるInAlNを採用した。本研究では28GHz帯において高出力密度を達成したので報告する。