[17p-K304-1~8] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-K304-1] Reduction in Local Etching Amount Variation for Etch Back Process of TiN

〇Yudai Mashiko¹, Taku Iwase¹, Makoto Satake¹, Yasushi Sonoda², Motohiro Tanaka², Naoyuki Kofuji², Kenji Maeda² (1.Hitachi Ltd., 2.Hitachi High-Tech Corp.)

Keywords:

Plasma etching,seam,Local etching amount variation

ゲートコンタクトプラグの形成ではTiNの平坦なエッチバック法が必要である。しかし，TiNの成膜時に形成された空隙(Seam)がエッチング中に拡大し，エッチング深さばらつきが増大することが課題である。本研究ではSeam拡大の抑制法としてCl2ガスに堆積性ガスを添加するラジカルエッチング法を検討した。