[17p-K304-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[17p-K304-1] TiNエッチバックにおけるエッチング深さばらつき低減法

〇益子 侑大¹、岩瀬 拓¹、佐竹 真¹、園田 靖²、田中 基裕²、小藤 直行²、前田 賢治² (1.日立製作所、2.日立ハイテク)

キーワード：

プラズマエッチング、シーム、エッチング深さばらつき

ゲートコンタクトプラグの形成ではTiNの平坦なエッチバック法が必要である。しかし，TiNの成膜時に形成された空隙(Seam)がエッチング中に拡大し，エッチング深さばらつきが増大することが課題である。本研究ではSeam拡大の抑制法としてCl2ガスに堆積性ガスを添加するラジカルエッチング法を検討した。