[17p-K304-1~8] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-K304-2] Plasma treatment using BCl₃ pulsed plasma for roughness reduction of metal oxide resist

〇Taiga Kasai¹, Miyako Matsui¹, Minami Shoji¹, Tomoyasu Shohjoh¹, Makoto Miura², Kenichi Kuwahara² (1.Hitachi Ltd., R&D Group, 2.Hitachi High-Tech Corp.)

Keywords:

EUV,metal oxide resist,roughness

1.5 nmノード以降の半導体デバイスでは、光学系の開口数を高めた極端紫外線露光技術の導入が予想されている。そのレジストとしてメタルオキサイドレジスト(MOR)が注目されているが、MORは膜厚が薄く、ラインエッジラフネスが大きいという課題がある。本発表では、パルス化したBCl₃プラズマでMORラインパターンを処理することにより、膜厚減少を抑えつつ、ラフネスを低減するプロセスのメカニズムを報告する。