講演情報
[17p-K304-2]BCl3パルスプラズマ処理によるメタルオキサイドレジストのラフネス低減手法
〇笠井 大雅1、松井 都1、庄子 美南1、猩々 智康1、三浦 真2、桑原 謙一2 (1.日立研開、2.日立ハイテク)
キーワード：
EUV、メタルオキサイドレジスト、ラフネス
1.5 nmノード以降の半導体デバイスでは、光学系の開口数を高めた極端紫外線露光技術の導入が予想されている。そのレジストとしてメタルオキサイドレジスト(MOR)が注目されているが、MORは膜厚が薄く、ラインエッジラフネスが大きいという課題がある。本発表では、パルス化したBCl3プラズマでMORラインパターンを処理することにより、膜厚減少を抑えつつ、ラフネスを低減するプロセスのメカニズムを報告する。