[17p-K304-1~8] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-K304-3] Etching Characteristics of Baked Photoresist by Reactive Atmospheric-pressure Thermal Plasma Jet and its Application to EBR Process

〇(M2)Kyohei Matsumoto¹, Jiawen Yu¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima University)

Keywords:

plasma,etching,photoresist

フォトレジスト(PR) のスピンコート塗布では、PRがウェハエッジ部で厚くなるエッジビードの形成や裏面への回り込みが生じ、露光工程の妨げや剥離による歩留まり低下の要因となる。そのため、現在は有機溶剤により端部のPRを除去するEdge Bead Removal (EBR) 工程が導入されている。しかし有機溶剤の最終廃液処分に伴う排出量の削減は、カーボンニュートラル達成の上で解決しなければならない課題である。我々はArとO2を用いた反応性大気圧熱プラズマジェット(R-TPJ) をPRに照射することで84 µm/sと高いエッチングレートを報告した。本研究では、製造プロセスを想定し、熱処理したサンプルに対するR-TPJのエッチング特性の調査を行った。また、R-TPJを用いたエッジ部のPR除去装置を構築し、EBRプロセスへの適応性評価を行った。