[17p-K501-1~9] 6.3 Oxide electronics

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-K501-3] Enhancing the current density of ZnO-TFTs using an oxide multilayer structure and a low-temperature annealing for OLED driving TFTs

〇(B)Naoki Takada¹, kensuke Nakata¹, Kaiko Yuge¹, Akira Fujimoto¹, Hideo Wada¹, Masatoshi Koyama¹, Akihiko Fujii¹, Toshihiko Maemoto¹ (1.Osaka Inst. of Tech.)

Keywords:

Thin film transistor,Oxide,Zinc Oxide

フレキシブルかつ透明な酸化物デバイスを可能にする低温プロセス技術として、200℃以下の低温プロセスでAlOx/ZnO積層TFTを作製し、酸素分圧制御下の成膜により酸化物界面で大きな電流密度を維持、熱処理後も高い導電層特性を実証した。これにより有機EL画素回路を酸化物のみでスイッチング・駆動できる可能性が示され、薄型・軽量・フレキシブルな次世代OLEDの大面積・高精細化へ貢献が期待される。