講演情報
[17p-K501-3]有機EL駆動用TFTに向けた酸化物積層構造と低温熱処理を用いたZnO-TFTの高電流密度化
〇(B)高田 直希1、中田 賢祐1、弓削 凱晃1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大工)
キーワード：
薄膜トランジスタ、酸化物、酸化亜鉛
フレキシブルかつ透明な酸化物デバイスを可能にする低温プロセス技術として、200℃以下の低温プロセスでAlOx/ZnO積層TFTを作製し、酸素分圧制御下の成膜により酸化物界面で大きな電流密度を維持、熱処理後も高い導電層特性を実証した。これにより有機EL画素回路を酸化物のみでスイッチング・駆動できる可能性が示され、薄型・軽量・フレキシブルな次世代OLEDの大面積・高精細化へ貢献が期待される。