[17p-Y1311-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[17p-Y1311-8] 4" diameter β-Ga₂O₃ single crystal growth by the VB furnace with proper oxygen partial pressure

〇Yoshiki Kasai¹, Tsuyoshi Kobayashi¹, Toshimitsu Omiya¹, Toshinori Taishi¹, Keigo Hoshikawa¹ (1.Shinshu Univ.)

Keywords:

Ga2O3,single crystal growth,vertical bridgman method

我々は大気中で1800℃を超える高温垂直ブリッジマン(VB)炉を開発し、2インチβ-Ga₂O₃単結晶育成を可能にした。さらなる結晶の大形化に向けて、使用するPt-Rh合金るつぼや熱電対の劣化・損傷・破損を回避するためには、炉内温度条件に加えて炉内雰囲気(酸素分圧：Po₂)の適正化が必要と考え、熱力学平衡計算ソフトウェアFactSageによる計算予測とGa₂O₃融解実験から最適炉内条件を提案し、4”Φ、35mm長の単結晶育成に成功したので報告する。