[17p-Y1311-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[17p-Y1311-9] Killer Defects in (001) HVPE-Grown β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Observed by Emission Microscope and SEM

〇Masanori Eguchi¹, Yuto Otsubo², Niloy Saha², Rao Badari³, Chia-Hung Lin³, Kohei Sasaki³, Toshiyuki Oishi², Makoto Kasu² (1.Saga Univ. Syn., 2.Saga Univ., 3.Novel Crystal Tech.)

Keywords:

Beta-Gallium Oxide,Killer Defects,Emission Microscope

我々は、β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）基板上にハライド気相成長（HVPE）法によりホモエピタキシャル成長したエピ膜に縦型ショットキーバリアダイオード（SBD）を作製し、エミッション顕微鏡および電子顕微鏡（SEM）観察を行ったところ、サブミクロンのボイドがリーク電流経路であることを見出し、その構造とリーク電流のメカニズムを明らかにしたので報告する。