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[H-1-02]Atomic Layer Epitaxy of Si in Ge

〇Yuji Yamamoto1,2, Wei-Chen Wen1, Markus Andreas Schubert1, Daniel Steckler1, Junichi Murota3, Bernd Tillack1,4 (1. IHP - Leibniz-Inst. für innovative Mikroelektronik (Germany), 2. Nagoya Univ. (Japan), 3. Micro System Integration Center, Tohoku Univ. (Japan), 4. Tech. Univ. Berlin (Germany))