講演情報

14:45 〜 15:00

[S8-2_3_20(学生講演)]In situ 赤外分光測定によるシリコン系負極上におけるSEI形成プロセスの解明

〇鳥井克将^1,2、Pradhan Anusha¹、近藤靖幸^1,2、片山祐^1,2、山田裕貴^1,2 (1. 大阪大学産業科学研究所、2. 大阪大学大学院工学研究科)