セッション詳細
先端デバイスプロセス
2026年3月18日(水) 10:00 〜 11:45
電子材料(講義棟4F K406)
座長:近藤 英一(山梨大学)、早瀬 仁則
主催：電子材料委員会
[S19_2_01(一般講演)]ウェットプロセス環境下における集積回路配線材料の表面安定性
大岡 洋佑1、〇近藤 英一1 (1. 山梨大学)
[S19_2_02(学生講演)]ハイブリッド接合前CMPにおける超微細粒銅の研磨特性評価
〇宮本 大樹1、タナカ ファビアナ1、端山 健太1、神谷 佑哲1、村上 駿平1、佐野 麻理恵1、井上 史大1 (1. 横浜国立大学)
[S19_2_03(学生講演)]ポリマー/Cuハイブリッド接合におけるセリアスラリーの研磨特性評価
〇新澤 遼大1、神谷 佑哲1、中村 雄三1、井上 史大1 (1. 横浜国立大学)
[S19_2_04(学生講演)]表面制御によるRu上へのグラフェンキャップ形成
〇眞谷 宗汰1、艮 翔太朗1、中山 航平1、オチルホヤグ ニャムジャルガル1、上野 和良1、井上 史大1 (1. 横浜国立大学)
[S19_2_05(一般講演)]バンドギャップモニタ搭載TDS装置の開発とSiO2-Si構造からのH2とH2O脱離の解析
〇小林 清輝1、木本 健嗣1、青木 夏美1 (1. 電子科学株式会社)
[S19_2_06(特別講演)]高機能フォトポリマーの開発
〇有光 晃二1 (1. 東京理科大学 創域理工学部先端化学科)