セッション詳細
[C-2A]マイクロ波 A
2024年3月6日(水) 13:45 〜 16:45
工学部 1階 109(広島大学 東広島キャンパス)
座長:野坂 秀之(立命館大学)、古市 朋之(東北大学)
[C-2A-01]250-nm InP DHBT P-N接合ダイオードを用いた高LOリーク抑圧D帯サブハーモニックミキサ
○八山 慎史1、丹治 康紀1、桑原 俊秀1、大島 直樹1、金子 友哉1 (1. 日本電気株式会社)
[C-2A-02]22-nm FDSOI CMOSを用いたD帯イメージ抑圧Resistive FET サブハーモニックミキサ
八山 慎史1、桑原 俊秀1、丹治 康紀1、○名取 透吾1 (1. 日本電気株式会社)
[C-2A-04]テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器
○山下 晋平1、河村 由文1、中谷 圭吾1、加茂 宣卓1、山中 宏治1 (1. 三菱電機株式会社)
休憩時間
[C-2A-06]Basic Concept of Novel Low Phase Noise Positive Feedback-Type Push-Push Oscillator Using Differential Bandpass Filter
○Elton Lima1, Takayuki Tanaka1, Ichihiko Toyoda1 (1. Saga University)
[C-2A-09]K-Ka帯GaN IMPATTダイオードの作製
○川崎 晟也1、隈部 岳瑠1、出来 真斗2、渡邉 浩崇3、田中 敦之3、本田 善央2,3、新井 学3、天野 浩2,3 (1. 名大院工、2. 名大Dセンター、3. 名大未来研)