講演情報

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[19p-B101-3]221.5 nm far-UVC AlGaN LED における EQE0.008 %動作の実現

〇(M1)中村勇稀^1,2、住司光^1,3、藤川紗千恵^2,1、矢口裕之²、遠藤聡³、藤代博記³、祝迫恭⁴、平山秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大、3.東京理科大、4.日本タングステン)

深紫外LED