講演情報
[19p-P02-4]多段階イオンビーム照射によるGe表面構造の形態変化
〇宮田 澪1、大石 脩人1、新田 紀子1 (1.高知工大)
キーワード：
イオンビーム,重畳照射,ナノ構造
特定の半導体材料にイオンビームを照射すると、試料中に導入された点欠陥の自己組織化及びスパッタリングによって表面にナノポーラス構造が形成される1), 2)。これらの微細構造は、照射条件の影響を受けてサイズや形態が変化する。これまでの研究から、Geに対し照射角度を変更した照射や2回重畳照射を行うことで、垂直入射で得られるものとは異なった形態をもつ表面構造が形成することがわかっている3)。そこで、本研究では重畳照射によるGe表面構造形成の効果をさらに検証するため、複数回重畳照射、重畳する際の照射量を変更して実験を行った。