講演情報
[19p-P04-24]インクジェット法によるCsFAペロブスカイト層の貧溶媒フリー成膜条件におけるピッチ間隔の膜厚への影響
〇(M1)大津 颯隼1、戸邉 智之1,4、舩山 遼斗3、柴山 直之2、池上 和志1、宮坂 力2 (1.桐蔭横浜大院工、2.桐蔭横浜大医用工、3.紀州技研工業、4.神奈川県産技総研)
キーワード:
ペロブスカイト太陽電池,インクジェット法,貧溶媒法
ペロブスカイト太陽電池のペロブスカイト層塗布では、作業環境の安全性の観点から
、貧溶媒を使用しないプロセスが非常に重要である。そこで、貧溶媒を用いず塗布で
きるインクジェット法の研究を行った。貧溶媒を使用しない方法で、ペロブスカイト層
の平坦部の厚さが300nm以下だが全体のラフネスが改善していないセルでも、ヒス
テリシスのない9.86%の変換効率を得た。さらに、ペロブスカイト層の平坦度や厚み
を増すための研究を行った。
、貧溶媒を使用しないプロセスが非常に重要である。そこで、貧溶媒を用いず塗布で
きるインクジェット法の研究を行った。貧溶媒を使用しない方法で、ペロブスカイト層
の平坦部の厚さが300nm以下だが全体のラフネスが改善していないセルでも、ヒス
テリシスのない9.86%の変換効率を得た。さらに、ペロブスカイト層の平坦度や厚み
を増すための研究を行った。