[19p-P04-1~45] 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

[19p-P04-41] 真空蒸着によるペロブスカイト型半導体ダブルヘテロ構造の作製と評価

〇(M2)豊田 祥平¹、劉 子豪¹、五月女 真人²、松下 智紀²、近藤 高志^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：

ペロブスカイト型半導体

近年、金属ハライドペロブスカイト(ABX₃)は、組成制御による幅広いバンドギャップの可変性、長い光キャリア寿命などから光電デバイスの材料として注目されている。これまでに我々は、Bサイト置換のヘテロ構造(CsPbBr₃/ CsSnBr₃、及びCsSnBr₃/ CsPbBr₃)が長時間安定であることを報告した。本研究では、CsPbBr₃/ CsSnBr₃/ CsPbBr₃のダブルヘテロ構造を作製し、その結晶性、光学特性、発光特性を評価した。また、ダブルヘテロ構造の平坦性(AFM)や組成分布(XPS)についても議論する。