[20a-C601-1~10] 13.9 化合物太陽電池

9:45 〜 10:00

[20a-C601-4] 光電子分光法を用いた(Ba,Sn)S薄膜の表面電子構造評価

〇永井 武彦^1,4、村田 秀信²、川村 史朗³、反保 衆志¹、寺田 教男^1,4 (1.産総研　省エネ部門、2.大阪公立大、3.物材機構、4.鹿児島大)

キーワード：

化合物半導体,光電子分光法

Si、GaAs、CuInSe₂など実用化されているほぼ全ての4面体配位の半導体では、「格子定数とバンドギャップ(E_g)」が負の相関(格子定数が大きくなるとE_gが小さくなる)を持ち、材料開発における指針となっている。ところが、近年我々は、SnSやGeSにおいては、この関係が正の相関となる事を理論計算から見出した。本発表では、正・逆光電子分光法を用い、価電子帯および伝導帯の状態密度変化を独立に観測し、同現象の理解の深化を図った。