半導体デバイスの作製にドーピング制御は不可欠な技術であり、溶液プロセスを用いた高分子半導体の化学ドーピング手法が盛んに研究されている。デバイス応用にはドープ膜の大気安定性も重要であるが、特にn型材料では大気下でのドーピングの失活が課題となっている。本研究ではp型について我々が報告したイオン交換ドーピングのコンセプトをn型半導体に対して検証した。