[20a-D903-1~11] 12.2 評価・基礎物性

10:00 〜 10:15

[20a-D903-5] 熱拡散によるルブレン単結晶へのF₄-TCNQドーピング

〇平本 昌宏^1,2,3、薮谷 和樹¹、湊 丈俊¹、中村 雅一²、伊澤 誠一郎³ (1.分子研、2.奈良先端大、3.東工大)

キーワード：

ドーピング,熱拡散,ルブレン単結晶

熱拡散法によって、F₄-TCNQアクセプターをルブレン単結晶全体にドーピングすることを試みた。60°C、30分間の熱拡散によって、10³ Vcm^-1における電流密度は、10 microAcm^-2から100万倍増大し、30 Acm^-2に達した。