講演情報
[20a-D903-5]熱拡散によるルブレン単結晶へのF4-TCNQドーピング
〇平本 昌宏1,2,3、薮谷 和樹1、湊 丈俊1、中村 雅一2、伊澤 誠一郎3 (1.分子研、2.奈良先端大、3.東工大)
キーワード：
ドーピング,熱拡散,ルブレン単結晶
熱拡散法によって、F4-TCNQアクセプターをルブレン単結晶全体にドーピングすることを試みた。60°C、30分間の熱拡散によって、103 Vcm-1における電流密度は、10 microAcm-2から100万倍増大し、30 Acm-2に達した。