講演情報
[20a-P02-5]NiOを用いた抵抗変化型メモリが示す量子化コンダクタンスとその磁場依存性
〇高木 陸1、長谷川 剛1 (1.早大先進理工)
キーワード：
抵抗変化型メモリ,量子化コンダクタンス
近年、抵抗変化型メモリReRAMは次世代の不揮発性メモリとして大きな注目を集めている。本研究では上部電極は作製せずPtワイヤーの先端をNiO表面に接触させることでPt/NiO/Pt素子構造を作製した。実効的なスイッチング領域が縮小されたことで初期オフ抵抗と繰り返し耐性の向上が確認された。さらに磁性材料であるNiを利用して量子化コンダクタンスとその磁場依存性の統計データを得ることを目指した。