[20a-P03-1~21] 11 超伝導（ポスター）

[20a-P03-18] SPT法により作製したc軸配向CaKFe₄As₄バルクの臨界電流特性

〇石田 茂之¹、神谷 良久²、土屋 佳則¹、スガリ パバン・クマー・ナイク¹、馬渡 康徳¹、伊豫 彰¹、吉田 良行¹、永崎 洋¹、川島 健司²、荻野 拓¹ (1.産総研、2.イムラ・ジャパン)

キーワード：

鉄系超伝導体CaKFe4As4,c軸配向超伝導バルク,臨界電流特性

鉄系超伝導体は高磁場応用のポテンシャルを有しており、我々は1144系材料のCaKFe₄As₄を用いたバルク開発を行っている。今回、放電プラズマ焼結（Spark Plasma Sintering, SPS）法と熱間加工法を組み合わせたSpark Plasma Texturing（SPT）法を用いて、c軸配向したCaKFe₄As₄バルクの作製に成功した。作製したバルクの臨界電流特性を報告すると共に、微細組織観察および化学組成分析結果と比較し、特性決定因子について議論する。