講演情報
[20p-A310-12]弱圧縮磁場型デュオプラズマトロン型イオン源の放電特性
〇石谷 翔1 (1.同志社大院理工)
キーワード：
プラズマ
半導体イオン注入層への汚染元素の固定化技術として、炭化水素イオンの浅層注入によるゲッタリングウェハプロセスが提案されている。そこで，高分子炭化水素イオン生成に適した条件を調べる為、ホローカソードを用いた弱磁場強度冷陰極デュオプラズマトロンイオン源を設計製作し、磁気回路が放電特性調査及び各種イオンの引出特性評価から原子、分子イオン生成過程に与える影響を調査したので報告する。