講演情報

15:30 〜 15:45

[20p-A501-10]貫通転移密度の異なるInGaNフォトカソードの電子放出特性

〇(D)出射幹也¹、佐藤大樹²、小泉淳²、西谷智博^2,3、本田善央³、天野浩³ (1.名大院工、2.Photo electron Soul、3.名大IMaSS)

フォトカソード,電子源,負性電子親和力