[20p-P03-1~11] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[20p-P03-3] 混晶半導体Ag_1-xCu_xInS₂のバンドギャップの組成依存性の検討

〇(M1)加藤 昌輝¹、瀬戸 貴大¹、鈴木 孝一朗¹、尾崎 晴香¹、濱中 泰¹ (1.名工大院)

キーワード：

量子ドット,ナノ粒子,薄膜

AgInS₂とCuInS₂ナノ粒子は低毒性の蛍光体として注目されている。両者の混晶であるAg_1-xCu_xInS₂(ACIS)ナノ粒子の先行研究では、Cuのモル分率xを増加させたときに、xが0に近い領域でバンドギャップが急激に減少する非線形な混晶比依存性が報告されている。一方、バルクACISでは、バンドギャップの混晶比依存性は未確定である。本研究では、混晶比xを変化させたバルクACIS薄膜を作製し、バンドギャップの混晶比依存性に関して調査を行ったので報告する。