[21a-C501-1~6] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

9:15 〜 9:30

[21a-C501-2] 強磁性金属/2次元物質のヘテロ界面の電子・磁気状態の第一原理計算

〇(M1)遠藤 竜佑¹、植本 光治¹、新屋 ひかり²、永沼 博³、小野 倫也¹ (1.神戸大工、2.東大工、3.東北大CIES)

キーワード：

スピントロニクス,第一原理計算

本研究では、トンネル磁気抵抗接合として期待されているFePd(001)/六方晶窒化ホウ素、FeNi(111)/グラフェン、FeNi(111)/六方晶窒化ホウ素のそれぞれの構造について、2次元物質の原子がどのような配置を取るのかを第一原理計算で決定した。さらに第一原理伝導特性計算を用いて、それらの構造の磁気抵抗比を計算した。