講演情報
[21a-P04-10]基板加熱を伴うPt/[EMIm]Tf2N/SiC(000-1)表面構造の観察
〇(B)山中 郁哉1、杉山 宏一1、来海 裕之1、江本 暁2、益田 純奨2、渡邊 美紀1、黒木 伸一郎3、内藤 正路4、碇 智徳1 (1.宇部高専、2.九大院総理工、3.広大ナノデバイス、4.九工大院工)
キーワード：
遷移金属ナノ粒子,SiC表面分解法,イオン液体
SiC(000-1)基板上では、表面分解法によりカーボンナノチューブ(CNT)やグラフェンなどの表面構造を形成できる。しかし、表面分解法では、高い加熱温度が必要となる。そこで、遷移金属元素の触媒作用を用いることで、成長の促進できる可能性に着目した。本研究では、ILを滴下し、白金(Pt)を蒸着したSiC(000-1)基板と清浄なSiC(000-1)基板表面に加熱処理を施した表面構造を観察した。