講演情報
[21p-P03-4]n型AlGaNへのセシウムと酸素の共蒸着による熱電子放出特性の向上
〇名村 海1、木村 重哉2、吉田 学史2、宮崎 久夫2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝 研究開発センター)
キーワード：
セシウム,熱電子放出,n型AlGaN
ワイドバンドギャップ半導体のAlGaNは、セシウム(Cs)と酸素の共吸着により負の電子親和力状態を得ることができるため、熱電子エネルギー変換器への応用が期待できる。本研究では、熱電子エミッタとなるAlGaN表面にCsと酸素の共蒸着による熱脱離の抑制と熱電子放出特性の向上について検討した。また、Csと酸素を共蒸着したAlGaN表面の熱電子放出特性を実測し、昇温によるCs吸着状態の変化を評価した。