[21p-P19-1~4] 3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）

[21p-P19-3] GaNフォトニック結晶における可視域トポロジカルエッジ伝搬の観測

〇高野 大和¹、倉邉 海史¹、秋元 弥頼¹、本多 卓人¹、胡 暁⁴、菊池 昭彦^1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研究室、4.ナノアーキテクト二クス材料研究センター)

キーワード：

トポロジカルフォトニック結晶,トポロジカルフォトニクス,窒化物半導体

低損傷加工技術である水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法とAlInN犠牲層選択エッチングによりメンブレン型GaN系トポロジカルPhCを作製し、可視域でのトポロジカルエッジ伝搬の観測に成功した。