講演情報
[22a-P01-24]Fe5GeTe2における外因性異常ホール効果の観測
〇鈴木 隆起1、安藤 和也1,2,3 (1.慶大理工、2.慶大KiPAS、3.慶大CSRN)
キーワード:
スピントロニクス,異常ホール効果,ファンデルワールス物質
ファンデルワールス(vdW)強磁性体は,スピントロニクスデバイスの構成要素として大きな注目を集めている.これまで,Fe3GeTe2は高いキュリー温度(TC 〜 230 K)を持つ有望なvdW強磁性体であることが判明している.最近,vdW強磁性体 Fe5GeTe2(TC ∼ 270 K - 310 K)に関する研究が活発になってきた.本研究では,Fe5GeTe2において,大きな外因性異常ホール効果を報告する.Fe5GeTe2薄膜の外因性スキュー散乱係数は,遷移金属強磁性体よりも一桁大きいことが明らかになった.