講演情報
[22a-P01-26]強誘電性圧電効果を基軸にしたスピンホール効果の電界変調
〇(DC)一兜 博人1、飯森 陸1、大日方 初良1、木村 崇1 (1.九大院理)
キーワード：
動的スピン注入,電界効果,スピン電荷変換
本研究では強誘電体基板上に成膜された重金属 / 強磁性体の複合マルチフェロイック構造のデバイスを用い、強誘電体の電界効果を基としたスピン物性の制御を目指す。今回は、PMN-PT/Pt/CoFeBを基本の素子構造とし、スピンホール効果の電界変調について評価を行った。この系では動的スピン注入により得られる逆スピンホール信号が、電界印加につき増加することが分かった。この変調効果についてスピンの輸送現象などを交えて議論を行う。