[22a-P03-1~32] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[22a-P03-1] ペンタセン薄膜の負性微分抵抗現象とデバイス動作温度との相関

〇金澤 俊¹、高山 和輝¹、野田 啓¹ (1.慶應大理工)

キーワード：

有機半導体,負性微分抵抗,熱設計

有機半導体は次世代電子デバイスを実現し得る材料の一つとして注目されている。しかしその熱伝導率の低さゆえに、今後のさらなる多機能化に伴ってデバイス内部の発熱が増大し、デバイス性能に悪影響を与えることが懸念される。その中で我々は、有機半導体薄膜の発熱により生じる負性微分抵抗（NDR）現象の研究を進めている。本発表では有機半導体ダイオードのNDRを伴った電流電圧特性とデバイス動作温度との相関について報告する。