[22p-A302-1~15] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[22p-A302-5] 磁化ベクトル制御を利用するイオンゲーティングリザバー

〇並木 航¹、西岡 大貴^1,2、土屋 敬志¹、樋口 透²、寺部 一弥¹ (1.物質・材料研究機構、2.東理大)

キーワード：

リザバーコンピューティング,イオニクス,スピントロニクス

スピントロニクス素子は物理リザバーとして優れた微細化と高い計算性能をもつ一方で、動作に不可欠な外部磁場が消費電力を増大させ構造を複雑にする。本講演では外部磁場を必要としない磁化ベクトル制御を利用したイオンゲーティングリザバーについて報告する。室温強磁性Fe₃O₄薄膜とリチウム電解質薄膜を組み合わせた酸化・還元デバイスにおいて、イオンの過渡応答に対する磁化ベクトルの変化を平面ホール電圧として読み出すことで、優れた非線形性を与えリザバーの表現力を大きく向上させた。