講演情報
[23a-B101-1]多面体構造上に作製した多波長発光InGaN LEDのデバイス動作特性
〇松田 祥伸1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)
キーワード：
多波長発光素子,三次元構造,InGaN
InGaN系三次元構造は，蛍光体フリーな多波長発光素子として注目されている．最近我々は，基板加工によって作製されるGaNマイクロレンズ構造をベースとした多波長InGaN LEDを報告した．マイクロレンズ構造では，基板面からのオフ角の連続的な変化に対応して，InGaN 量子井戸の連続的な波長分布が形成される．さらに，この結果をもとに多面体構造によって特定のオフ角領域を選択的に集積し，各面に独立電極をすることでスペクトル制御性の高い多波長 LEDを実証した．一方で，多面体構造に形成した InGaN LEDの詳細なデバイス特性は明らかでなかった．本研究では，各面上のLEDデバイスの動作特性を個別に評価したので報告する．